分析手法
We provide two-dimensional nanoscale electrical properties measurement and imaging. Advanced electrical characterization technology and research into next generation semiconductor production equipment are our focus.
分析案例
Advanced analysis of devices including solar cells, CMOS sensor, logic/power devices and other third generation of semiconductor materials such as GaN & SiC are provided.
技术研发
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分析手法
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碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率等指标上具有显著优势，能够满足现代工业对高功率、高电压、高频率的需求。
与传统的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于拥有低导通电阻特性以及出色的高温、高频和高压性能，有助于显著降低设备的能耗，已经成为下一代低损耗半导体可行的候选器件。SMM在测量样品时利用反射波相位和幅值来分析获取如导电率、介电常数、载流子浓度与类型等电性信息，能够提供有助于故障分析和设计改进的掺杂剂分布的数据。对于SiC器件，可用 SEM 观察断面形貌，并用 SMM 观察掺杂的载流子p/n二维分布，用 SSRM 分辨不同浓度的掺杂区。
