分析手法
We provide two-dimensional nanoscale electrical properties measurement and imaging. Advanced electrical characterization technology and research into next generation semiconductor production equipment are our focus.
分析案例
Advanced analysis of devices including solar cells, CMOS sensor, logic/power devices and other third generation of semiconductor materials such as GaN & SiC are provided.
技术研发
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分析手法
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【概要】石墨烯是一种二维晶体，由碳原子按照六边形进行排布，相互连接，形成一个碳分子，其结构非常稳定。单层石墨烯只有一个碳原子的厚度，即0.335 纳米，相当于一根头发的20万分之一的厚度。因此，工艺上常常使用 CAFM 来探测极薄石墨烯的存在并表征其电性能。
利用 CAFM 图像内 RL0 和 RL1 之间阻值的斜率，可近似得到该双层石墨烯的电阻率。
利用 CAFM 电流分布图(左图)的衬度对比发现了同一位置下在 BSE-SEM 图(右图)中未能完全找到的覆盖在衬底上的极薄多层石墨烯(MLG)成分
