逆向分析SMM&SSRM
逆向分析SMM（扫描微波阻抗显微镜）：逆向分析主要是为了理解芯片的电路结构、工艺技术和材料组成。SMM是一种具有超高分辨率的无损表征测试手段，能同时获得样品的纳米级形貌图和纳米级电特性二维分布图，帮助实现微观场景下对材料的识别与区分。
例如，在已知样品浓度范围E17-18 atoms/cm3和工艺条件时，可采用SCM判断样品截面P/N型。当样品浓度范围未知或浓度过高/过低时，SCM信号会呈现反转，影响判断。此时建议采用SMM表征，SMM的优势在于可探测的浓度范围为E14～20 atoms/cm3，且表征信号与浓度呈线性相关。
当工艺条件不清晰时，还可采用SMM表征介电常数、导电率、载流子浓度分布等电学性质信息，这对于协助分析晶体管的源/漏区、阱结构等至关重要。
逆向分析SSRM（扫描扩展电阻显微镜）：在芯片的逆向分析中，SSRM通过测量局部电阻，可有效探知二维区域内载流子空间分布、电导率分布等多种电学信号，可有效协助理解芯片的工作原理。SSRM空间分辨率可以达到~1-10 nm级别，甚至优于SMM，这对于解析先进制程（如5nm, 3nm）的极小特征尺寸至关重要。
例如采用SSRM对超浅结CMOSFET进行测试，可清晰地表征~10nm的SDE区域和halo区域。
此外，SSRM检测阻值范围为104-1012Ω，这意味着可同时呈现出金属、重掺杂和轻掺杂区域图像。