高感度扫描微波显微镜(SMM)设备的开发

SMM(Scanning Microweive Microscope/扫描微波显微镜) 是将微波照射到试样上时将从入射波和反射波得到的阻抗进行成分分离,得到局部静电电容(SMM-C)和电阻(SMM-R)的方法。可以在纳米尺度下对样品直接测量局部的导电性质和介电性质(1×10-18 F ~1×10-14 F),具有超高的电学分辨率(小于1×10-18 F)和空间分辨率,适用于从导体到绝缘体的多种材料。


检测能力


 测试模式

测试项目

SMM-C成像

载流子浓度、电容变化

SMM-R成像

电导率、电阻率变化

dC/dV 相位 (SCM)

载流子类型 n/p 分布

dR/dV 振幅

相关损失系数

dR/dV 相位

相关损失系数


各项测试图例

image


测试参数


样品尺寸要求

水平方向:5mm×5mm 

垂直方向:~ 20mm

※为保证数据准确性需保证样品表面纳米水平的平坦度

※一般通过机械研磨露出半导体器件的断面

可测定范围

水平方向:~ 80μm×80μm (512点×512点)

垂直方向:需保证样品表面纳米水平的平坦度

检出深度

数nm (高浓度区域) ~ 数百nm (低浓度区域)

水平方向分辨率

  数十nm (高浓度区域) ~ 数百nm (低浓度区域)

  ※此外,测量精度亦受探针针尖状态的影响


技术优势



SMM

SCM

SNDM

量测精度

E14~20

E15~19

E14~20

atoms/cm3

atoms/cm3

atoms/cm3

浓度解析

×

×

线性

非线性

非线性

P/N判定

空间分辨率

nm~

20 nm~

20 nm~

dC/dV模式(施加交流电压测定)


送样要求


一、目的/测试内容

二、样品信息

(1)样品数量、是否有备样

(2)测定区域的示意图(CAD 图或光学显微镜照片等),线路结构或扩散层结构的示意图,半导体的材料和极性,需要的放大倍率等

(3)制样要求(沿哪个方向研磨、切割等)

三、其它注意事項

(1)备注送样时间,快递单号等

(2)如果有多个样品,请指定测试优先级


应用范围


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