第三代与第四代半导体(3rd and 4th generation semiconductors)
1.金刚石薄膜的表面特性分析
【概要】金刚石凭借其优异的导热性能、超宽的禁带结构以及较高的载流子迁移率，在高功率、高频及高温环境下的电子器件中展现出巨大的应用潜力。在以金刚石为衬底的工艺上，通常用 CAFM/SSRM 等来评价其电学性能。
2.观察 氮化镓/GaN 表面的阶梯状结构
【概要】作为宽禁带半导体的氮化镓（GaN），在功率器件和通信·光器件等广泛的领域被使用。在制作器件方面，晶片表面的形状和粗糙度对器件性能有很大影响。在生长 GaN 晶片时，由于与支撑基板的晶格失配等引起的应力的影响，在表面形成台阶-平台结构。对于该类器件，可以使用 AFM 量测 GaN 基板表面的台阶-平台结构，并评估平台宽度、台阶高度、表面粗糙度、偏离角等参数。
3.观察 SiC 器件离子注入层的载流子分布
【概要】与传统的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于拥有低导通电阻特性以及出色的高温、高频和高压性能，有助于显著降低设备的能耗，已经成为下一代低损耗半导体可行的候选器件。对于该类器件，可用 SEM 观察断面形貌并用 SMM 观察掺杂的载流子 p/n 二维分布。 另外，由于 Trench MOSFET 结构的沟道区域为沟槽侧壁，因此沟槽侧壁的平坦性与器件的可靠性有关，我们可以通过 AFM 扫描来表征相关区域的微细构造与表面凹凸（粗糙度）。