分析手法
We provide two-dimensional nanoscale electrical properties measurement and imaging. Advanced electrical characterization technology and research into next generation semiconductor production equipment are our focus.
分析案例
Advanced analysis of devices including solar cells, CMOS sensor, logic/power devices and other third generation of semiconductor materials such as GaN & SiC are provided.
技术研发
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分析手法
分析案例
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【概要】SSRM(Scanning Spreading Resistance Microscope/扫描扩展电阻显微镜) 是用导电性探针扫描被施加了偏压的试样表面，使探针正下方的扩展电阻二维可视化的方法，通过纳米级别的局部电阻的测量可有效探知包括载流子空间分布在内的多种电学信号。
应用一：微纳区域电特性形貌表征
如图 (a) 展示了 SSRM 探测到了掺杂区末端的细微电阻变化和微区点缺陷，显示出沟槽下部尖端掺杂浓度不够，电阻变大的现象，这在 SCM 图像 (c) 中是未被显示的
应用二：电特性分布曲线测量
如图所示 SSRM 精准区别了 N 型和 P 型管并可量测界面区的电阻曲线
应用三：芯片截面载流子浓度分布图
如图所示为 halo 离子注入区的载流子分布测量结果，可与设计仿真图做精准对应
应用四：载流子浓度曲线测量
相较 SIMS，SSRM 能真实反映热激活离子（载流子）的浓度，且在拖尾处仍不失真
应用五：太阳能电池器件导电率检测
利用 SSRM 测量太阳能电池不同掺杂区域的电导率分布情况
