分析手法
We provide two-dimensional nanoscale electrical properties measurement and imaging. Advanced electrical characterization technology and research into next generation semiconductor production equipment are our focus.
分析案例
Advanced analysis of devices including solar cells, CMOS sensor, logic/power devices and other third generation of semiconductor materials such as GaN & SiC are provided.
技术研发
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分析手法
分析案例
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【概要】高真空高感度 CAFM(Conductive AFM/导电原子力显微镜) 是纳米探针定点电特性技术和二维导电性分布可视化技术兼顾的尖端技术，有很高的空间分辨率，可对局部缺陷、小电流等纳米级现象进行探测。此外还可进行介质特性分析，广泛应用于薄膜击穿模型与 SiC 衬底等的研究
应用一 利用 CAFM 图像内 RL0 和 RL1 之间阻值的斜率，可近似得到该双层石墨烯的电阻率
应用二 利用 CAFM 电流分布图(左图)的衬度对比发现了同一位置下在BSE-SEM 图(右图)中未能完全找到的覆盖在衬底上的极薄多层石墨烯(MLG)成分
应用三 利用 CAFM 分析栅极绝缘膜被击穿的演化机理，也可用于各种新型 high-k 绝缘膜的失效原理解析
应用四 利用 CAFM 测定硼掺杂同质外延金刚石（第四代半导体）的表面形貌与电性分布
